【新科技讯】近日，《韩国经济新闻》援引行业内部匿名消息来源报道，三星电子计划扩大其位于韩国平泽市的P3工厂产能。这座工厂将为DRAM存储芯片增加12英寸晶圆产能。据报道，P3工厂是三星电子最大的芯片制造厂，该工厂将根据代工合同增加4纳米芯片产能；三星电子计划明年新购至少10台极紫外光刻机。
路透社援引分析师的话报道，三星电子继续投资芯片业务，可能有助其在需求回暖时争取存储芯片市场份额，以及提振公司股价。
研究机构和证券公司最新报告显示，三星电子晶圆代工业务营收在今年三季度达到55.84亿美元，高于NAND闪存业务43亿美元的销售额。外媒报道称，这是三星电子晶圆代工业务的营收首次超过NAND闪存业务的营收。
究其原因，一方面，三星电子晶圆代工业务快速发展，这主要受益于与人工智能和5G通讯相关的定制化芯片需求增加、先进制程工艺良品率的改善、成熟制程工艺竞争力的提升等因素。另一方面，NAND闪存业务遭遇挫折，由于个人计算机和智能手机需求下滑，NAND闪存的需求与价格双双下滑，其中NAND闪存的合约价格较去年年底下滑13.9%。
据《韩国时报》报道，截至今年第二季度，三星电子占据43.5%的DRAM芯片市场份额，其次是韩国SK海力士公司占有27.4%的份额，美国美光科技公司约占24.5%。
有别于三星电子公司计划继续投资芯片业务，美光科技公司21日宣布计划裁员10%，以应对消费电子产品和芯片需求走软。SK海力士公司高管在第二季度财报会议中说，为应对市场环境，其资本支出将保持灵活。
虽然三星电子忙于长期布局，但存储芯片短期销量依然不乐观。据高盛集团日前预测，三星电子半导体业务第四季度营业利润约为1.5万亿韩元（1美元约合1271韩元），同比下滑83%。
三星电子今年8月宣布，其位于韩国首都首尔以南的半导体研发中心破土动工。该公司计划在2028年前向该研发中心投资约20万亿韩元，以提升企业在芯片领域的地位。
